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摘要:
产业化的薄膜硅太阳电池组件采用激光划刻技术实现子电池的串联集成.基于单个PN结的二级管模型,建立薄膜硅太阳能组件的等效电路模型.薄膜硅太阳能组件的前后电极电阻、激光划刻子电池有效发电宽度、激光划刻死区宽度、激光划刻后Shunt效应等因素会对电池性能产生影响.在实验室小面积薄膜硅太阳能电学参数基础上,对薄膜硅太阳能组件效率进行优化,通过薄膜硅太阳能组件转换效率和子电池激光划刻宽度的关联性量化,确定适宜的激光划刻子电池宽度.
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文献信息
篇名 大面积薄膜硅太阳电池组件效率优化的研究
来源期刊 电源技术 学科 工学
关键词 薄膜硅太阳能组件 激光划刻 子电池宽度 转换效率
年,卷(期) 2018,(12) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 1865-1868
页数 4页 分类号 TM914
字数 3138字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-087X.2018.12.030
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李宏 1 1 1.0 1.0
2 贾海军 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
薄膜硅太阳能组件
激光划刻
子电池宽度
转换效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源技术
月刊
1002-087X
12-1126/TM
大16开
天津296信箱44分箱
6-28
1977
chi
出版文献量(篇)
9323
总下载数(次)
56
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