高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

• 作者: 何凯 刘虎林 卢裕 徐向晏 温文龙 王俊锋 王兴 王超 田进寿 赛小锋 辛丽伟 陈萍 韦永林
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 电子轰击增益 微光成像 紫外探测
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 168-174
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20171729

摘要

基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.