平面硅异质结太阳电池的光吸收增强的研究

• 作者: 任千尚 任慧志 唐瑾晖 张晓丹 王广才 许盛之 赵颖 魏长春 黄伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 掺锡氧化铟 硅异质结太阳电池 后退火 反应热蒸发 增透膜
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 1089-1095
• 页数: 7页
• 分类号: O649.4
• 字数: 4305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.06.001

摘要

钙钛矿/硅叠层太阳电池可以充分利用太阳光谱,提高光电转换效率.平面硅异质结太阳电池可以作为叠层电池的底电池,其性能直接影响叠层电池的性能表现.采用传统反应热蒸发技术,在低温(170 ℃)条件下制备了掺锡氧化铟薄膜,并在170 ℃的氧气氛围下后退火处理,对ITO薄膜的特性进行了详细的表征和分析.结果表明:后退火工艺改善了ITO的结晶特性,使得材料的光学特性和电学特性得到明显提高,将其应用于平面硅异质结太阳电池,短路电流密度得到极大提高,尤其红外光响应改善明显.引入MgF2薄膜作为减反射层,进一步增强了电池的光响应,转换效率达到19.04%.