双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响

• 作者: 李成 林光杨 汪涵聪 王佳琪 谢文明 黄巍 黄诗浩
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双能谷效应 晶格散射 Si基Ge材料 声子
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 33-41
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20171413

摘要

性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷(Г能谷与L能谷)结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Г能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Г能谷.当掺杂浓度界于1017 cm?3到1019 cm?3时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Г能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	厦门大学物理科学与技术学院	45	140	7.0	11.0
2	黄巍	厦门大学物理科学与技术学院	11	9	2.0	2.0
3	黄诗浩	福建工程学院信息科学与工程学院	4	3	1.0	1.0
4	谢文明	福建工程学院信息科学与工程学院	8	2	1.0	1.0
5	汪涵聪	福建工程学院信息科学与工程学院	3	0	0.0	0.0
6	林光杨	厦门大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
7	王佳琪	厦门大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0