SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究

• 作者: 左安友 李强 杨永明 杨贝贝
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋相关塞贝克效应 SiN-SiC纳米薄膜 热自旋电子学器件
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 页码范围: 1705-1710
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 2052字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.08.035

摘要

热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用.本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件.发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应.而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应.这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左安友	湖北民族学院新材料与机电工程学院	56	153	6.0	8.0
2	杨永明	湖北民族学院新材料与机电工程学院	21	20	2.0	3.0
3	李强	湖北民族学院新材料与机电工程学院	22	24	3.0	3.0
4	杨贝贝	湖北民族学院新材料与机电工程学院	2	1	1.0	1.0