化学气相沉积法制备的石墨烯晶畴的边缘刻蚀

• 作者: 王宇薇 王彬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 刻蚀
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 页码范围: 1612-1616
• 页数: 5页
• 分类号: O793
• 字数: 2531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.08.020

摘要

通过对化学气相沉积法合成的六角形石墨烯晶畴进行H2刻蚀,发现在铜衬底上合成的六角形石墨烯晶畴具有两种与降温过程有关的边缘刻蚀模式,揭示了在化学气相沉积的降温过程中石墨烯晶畴边缘形态的改变.利用原子力显微镜对石墨烯晶畴进行观测,证明了在降温过程中石墨烯晶畴的边缘发生弯曲,并且下沉到铜衬底中.通过改变刻蚀温度对石墨烯晶畴进行H2刻蚀,发现石墨烯晶畴的边缘在降温过程中的形态改变增强了铜衬底对其的保护作用,能够在一定温度范围内避免晶畴边缘发生H2刻蚀,同时,证明了刻蚀温度在石墨烯的H2刻蚀过程中起着非常重要的作用,当刻蚀温度过高,铜衬底对石墨烯晶畴边缘的保护作用减弱,晶畴发生边缘刻蚀现象.本文首次证明了石墨烯晶畴的边缘刻蚀与化学气相沉积的降温过程和刻蚀温度有密切关系,进一步阐明了化学气相沉积法合成的石墨烯的生长和刻蚀机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彬	渤海大学新能源学院	7	10	2.0	3.0
2	王宇薇		5	7	1.0	2.0