磁控溅射制备镁镓共掺氧化锌透明半导体薄膜及其性能研究

• 作者: 康淮 钟志有 陆轴 龙浩
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 透明半导体薄膜 掺杂 磁控溅射 光电性能
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料
• 页码范围: 1938-1942
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2018.11.024

摘要

以 MgO∶Ga2O3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜.采用 XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对 MGZO 薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对 MGZO 薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所有 MGZO 薄膜均为六角纤锌矿结构并具有(002)择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙(3.41～3.44 eV).当溅射压强为3.5 Pa时,MGZO 薄膜的结晶质量最好、张应力最小(8.29×10－2GPa)、电阻率最低(1.62×10－3Ω·cm)、可见光区平均透过率最高(87.8%)、品质因数最大(4.76×103Ω－1·cm－1),具有最好的光电综合性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
5	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
6	康淮	中南民族大学电子信息工程学院	11	61	6.0	7.0
7	龙浩	中南民族大学电子信息工程学院	22	53	5.0	7.0