基于第一性原理掺磷石墨烯材料特性研究

• 作者: 苏敏江 解念锁 赵娟平
• 来源期刊: 铸造技术
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 单层石墨烯 光学性质 P掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料开发
• 页码范围: 1321-1324,1340
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.16410/j.issn1000-8365.2018.06.047

摘要

采用第一性原理计算方法,研究了单层掺P石墨烯(P-SLG)能带结构及光学性质.结果表明,P-SLG能带带隙打开,由金属性质转变为半导体性质.P-SLG光吸收谱在2.57×104cm-1、8.23×104cm-1和1.15×105cm-1处主要有3个峰值,在1.145 12×105cm-1处达到最大值.反射谱与吸收谱峰值相对应,在1.15×105cm-1处达到最大值,当频率大于1.5×105cm-1时,反射率不再发生变化.P-SLG电导率实部在8.23×104cm-1处达到最大值,峰值为1.5;虚部在1.15×105cm-1处达到最大值,峰值为1.25;当频率大于1.5×105cm-1实部和虚部无明显变化.