功率半导体模块压接工艺改进

• 作者: 刘航辉 曹耀丰 蔡彬
• 来源期刊: 各界
• 关键词: SiC MOSFET压接 功率半导体 压针设计和堆叠设计 方法
• 年，卷（期）: 2018,（16）
• 所属期刊栏目: 各界前沿理论
• 页码范围: 187
• 页数: 1页
• 字数: 649字
• 语种: 中文

摘要

功率半导体器件是电力电子交流器的核心部件,随着新能源技术的广泛使用,特别是电动汽车领域的快速发展,对功率半导体器件的可靠性提出了更高的要求.压接式功率半导体器件在更多的应用场合得到了关注,本文就SiC MOSFET压接式出现的接触方法不匹配和寄生电感大的两大问题提出了压针设计和堆叠设计的解决方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘航辉		6	2	1.0	1.0
2	蔡彬		4	1	1.0	1.0
3	曹耀丰		2	0	0.0	0.0