变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

• 作者: 何宇 徐继平 曲翔 杨凯 王新 王海涛 王磊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅沉积 弯曲 翘曲
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 1474-1479
• 页数: 6页
• 分类号: O78|TM23
• 字数: 3149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.07.030

摘要

随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用.在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数.通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺.该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曲翔		4	20	1.0	4.0
2	何宇		3	0	0.0	0.0
3	王新		2	3	1.0	1.0
4	徐继平		3	3	1.0	1.0
5	王磊		3	0	0.0	0.0
6	王海涛		2	9	1.0	2.0
7	杨凯		1	0	0.0	0.0