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摘要:
为得到高质量的PbS薄膜,使用化学浴沉积法在40℃、50℃和60℃的低温下在包覆有TiO2层的FTO衬底上成功制备了PbS薄膜.所制备的PbS薄膜外观光滑、致密,使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见近红外和紫外光电子能谱分析了该薄膜.根据分析结果,运用谢乐公式计算得到以上温度下制备的PbS薄膜的粒径分别为30 nm、36 nm和39 nm,且相应禁带宽度分别估算为1.58 eV、1.38 eV和1.20 eV.通过紫外光电子能谱结果计算出相应功函数分别为-4.90 eV、-4.60 eV和-4.50 eV,结合PbS薄膜的禁带宽度和功函数计算了其导带边和价带边的大小.此外,以spiro-OMeTAD作为空穴传输层,制备了PbS/TiO2太阳能电池,并获得了0.24%的光电转换效率.
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文献信息
篇名 低温化学浴制备PbS薄膜和表征及其在太阳能电池中的应用
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 PbS薄膜 低温 化学浴沉积 太阳能电池
年,卷(期) 2018,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1468-1473,1479
页数 7页 分类号 TN304|O484
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.07.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜春 北方民族大学化学与化工学院 17 28 3.0 4.0
2 张正国 北方民族大学化学与化工学院 35 56 3.0 5.0
3 高柱仙 宁夏大学化学化工学院 1 2 1.0 1.0
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PbS薄膜
低温
化学浴沉积
太阳能电池
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
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