氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 丁士进 邵龑
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 氢元素杂质 电学可靠性
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 24-32
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180074

摘要

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士进	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	29	174	7.0	12.0
2	邵龑	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0