B位掺杂Sn对BNT-BLZT陶瓷电学行为的影响

• 作者: 曹静 王永锋
• 来源期刊: 铸造技术
• 学科: 工学
• 关键词: 无铅反铁电材料 能量储存性能 P-E电滞回线
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 1436-1438,1446
• 页数: 4页
• 分类号: TG139
• 语种: 中文
• DOI: 10.16410/j.issn1000-8365.2018.07.012

摘要

采用固相反应制备无铅反铁电陶瓷[(Bi1/2Na1/2)0.92Ba0.05La0.02][SnxZr(0.95-x)Ti0.05]O3,研究了材料的相结构、介电及储能性能.结果表明,随着Sn含量增加,晶粒尺寸变化不大,但该材料介电损耗整体呈减小趋势,并且TF-R向低温区移动.Sn元素的加入对提高该材料的储能性能效果明显,当Sn加入量超过0.06时,出现双电滞回线,说明Sn元素对该体系材料电学性能有一定的优化作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹静		38	49	4.0	5.0
2	王永锋		31	25	3.0	4.0