材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

• 作者: 刘庆想 周海京 庞健 董志伟 董烨
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双边二次电子倍增瞬态特性 材料二次电子产额 蒙特卡罗方法 粒子模拟方法
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 234-242
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172119

摘要

采用蒙特卡罗抽样与粒子模拟相结合的方法,数值研究了材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增瞬态演化及饱和特性的影响.研究发现:随着材料二次电子产额的增加,二次电子增长率以及稳态二次电子数目和振幅均呈现增加的趋势,放电电流起振时间逐步缩短,稳态电流幅值以及放电功率平均值和振幅值均呈现逐步增加并趋于饱和的规律,沉积功率波形延时以及脉宽呈现逐步增加并趋于饱和的趋势.粒子模拟给出了高/低二次电子产额情况下的电子相空间分布、电荷密度分布、平均碰撞能量、平均二次电子产额、二次电子数目和放电电流的细致物理图像.模拟结果表明:高二次电子产额材料,饱和时更倾向趋于单边二次电子倍增类型分布;低二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性由空间电荷场的"去群聚"效应和"反场"效应同时决定,而高二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性则主要是由发射面附近的强空间电荷场"反场"效应决定的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周海京		120	495	10.0	14.0
2	董烨	西南交通大学物理科学与技术学院	49	210	9.0	10.0
4	董志伟		111	478	10.0	12.0
5	刘庆想	西南交通大学物理科学与技术学院	147	1039	16.0	24.0
6	庞健	中国工程物理研究院流体物理研究所	18	17	2.0	3.0