钒氧化物薄膜的溅射法制备及电学性质研究

• 作者: 刘思杨 朱子疏 朱煜 祝巍
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化钒 直流磁控溅射 薄膜 X射线衍射 相变
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 表面强化及功能化
• 页码范围: 152-159
• 页数: 8页
• 分类号: O484.4+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2018.07.021

摘要

目的 通过真空镀膜工艺,获得电学性能优良的钒氧化物薄膜.方法 采用直流反应磁控溅射法,通过改变镀膜时部分实验条件,包括沉积气氛中氧含量、衬底温度以及衬底材质,进而控制薄膜组成成分.利用椭偏仪、XRD和变温四探针仪检测所镀钒氧化物薄膜的厚度、晶体结构及电学性能.结果 衬底温度在350～400℃之间,镀膜室氧气含量在40％～50％之间时,反应溅射所得的钒氧化物薄膜具有较高的温度敏感性,此外得益于(0001)面的α-Al2O3与VO2有相近的晶格参数,在此衬底上沉积出的钒氧化物薄膜电阻在30～100℃区间内有一个数量级的线性变化.结论 确定了最佳的钒氧化物薄膜镀制条件范围,同时发现蓝宝石衬底相比于硅片和玻璃片更适合外延生长VO2薄膜.按此种方法所得样品具有优良的电学性能,可以应用到热敏电阻等研究领域当中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝巍	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	11	25	2.0	4.0
2	朱煜	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	2	1	1.0	1.0
3	刘思杨	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	1	1	1.0	1.0
4	朱子疏	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	1	1	1.0	1.0