N沟道结型场效应管应用电路设计

• 作者: 张进山
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: 场效应管 应用电路 设计
• 年，卷（期）: 2018,（23）
• 所属期刊栏目: 电子基础
• 页码范围: 82-84,40
• 页数: 4页
• 字数: 2024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-5059.2018.23.029

摘要

随着信息技术的方兴未艾,电子设计也悄然发生变化.传统的应用系统设计中使用的双极型晶体三极管也就是我们通常俗称的三极管因功耗大、抗干扰能力差等因数逐渐被单极型晶体场效应管即简称为场效应管所取代;同时在微电子集成电路设计领域,场效应管除因其传统特点-功耗低、输入电流极小、抗干扰能力强外,工作速度提高较快,更易于高集成度等优势迅速占主导地位.因此,掌握场效应管应用电路的设计对于专业技术人员,尤其是从事实践工程技术的专业人员就显得特别重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张进山	江苏省南京化工技师学院电气自动化教研室	3	2	1.0	1.0