小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现

• 作者: 宋建军 张洁 张鹤鸣 胡辉勇 陈航宇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单轴应变 载流子迁移率 晶面/晶向
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 287-297
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172138

摘要

小尺寸单轴应变Si p型金属氧化物半导体(PMOS)沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关,应变PMOS优化设计时应合理选择沟道的晶面/晶向.目前,文献已有1.5 GPa应力强度下单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率按晶面/晶向排序的理论模型.然而,在器件实际制造过程中,覆盖SiN应力膜工艺是固定的,由于沟道弹性劲度系数具有各向异性,这样,不同晶面/晶向应变PMOS沟道所受应力强度不同,进而导致在实际工艺下沟道反型层迁移率晶面/晶向排序理论模型"失效".针对该问题,本文采用中国科学院微电子研究所40 nm工艺流程制备了不同晶面/晶向40 nm沟道小尺寸单轴应变Si PMOS与未应变Si PMOS,并通过器件转移特性测试,获得了小尺寸单轴应变Si PMOS反型层迁移率晶面/晶向排序结论.此有关小尺寸单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率晶面/晶向排序的相关结论,由于考虑了工艺实现因素,与文献理论预测排序结果相比,更适于指导实际器件制造;相关分析方法也可为其他应变材料沟道MOS相关问题的解决提供重要技术参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	张洁	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	9	39	4.0	6.0
5	陈航宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	0	0.0	0.0