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热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究
热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究
作者:
代福
朱慧群
王忆
罗仁华
范东华
赵丽特
陈毅湛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
薄膜
多孔
Si/SiO2
光致发光
能隙态模型
摘要:
本工作采用热蒸发法制备了多孔 Si/SiO2薄膜,利用拉曼、红外、XRD研究了薄膜的结构,SEM研究了表面形貌,使用光致发光(PL)谱对其发光特性进行了研究.结果表明,激发波长为 325 nm(2.88 eV)时,样品的峰位分别在 430 nm(2.88 eV)、441 nm(2.81 eV)、523 nm(2.47 eV)、554 nm(2.24 eV),激发波长为488 nm时,峰位在570 nm(2.18 eV),采用施主态Si悬挂键≡Si0位于 2.81 eV,受主态 Si悬挂键≡Si-位于 3.00 eV处,引入SiOx(x 小于2)和Si-O-Si缺陷态能级,能级分别为5.05 eV和0.63 eV,建立了 Si/SiO2薄膜的能隙态(EGS)模型,并讨论了其发光机制.
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光致发光
缺陷
Si/SiNx/SiO2 多层膜的光致发光
Si/SiNx/SiO2多层膜
红外吸收
光致发光
内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究
来源期刊
材料导报
学科
工学
关键词
薄膜
多孔
Si/SiO2
光致发光
能隙态模型
年,卷(期)
2018,(z1)
所属期刊栏目
光、电、磁功能材料
研究方向
页码范围
50-53
页数
4页
分类号
O471|TB321
字数
3775字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王忆
五邑大学应用物理与材料学院
59
242
8.0
12.0
2
朱慧群
五邑大学应用物理与材料学院
29
82
4.0
6.0
3
范东华
五邑大学应用物理与材料学院
18
42
2.0
5.0
4
陈毅湛
五邑大学应用物理与材料学院
11
13
2.0
2.0
5
赵丽特
五邑大学应用物理与材料学院
18
45
4.0
6.0
6
代福
五邑大学应用物理与材料学院
12
25
3.0
4.0
7
罗仁华
五邑大学应用物理与材料学院
2
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多孔
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光致发光
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
材料导报
主办单位:
重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
出版周期:
半月刊
ISSN:
1005-023X
CN:
50-1078/TB
开本:
大16开
出版地:
重庆市渝北区洪湖西路18号
邮发代号:
78-93
创刊时间:
1987
语种:
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
总被引数(次)
145687
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