具有高阈值电压和超低栅漏电的400 V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

• 作者: 伊晓燕 张韵 王国宏 程哲 赵勇兵
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高阈值电压 大栅压摆幅 常关型
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 1472-1477
• 页数: 6页
• 分类号: TM23|TN3|TN4|TN5
• 字数: 571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.160678

摘要

介绍了一种采用 ICP 干法刻蚀技术制备的槽栅常关型 AlGaN/GaN 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).采用原子层淀积(ALD)实现40 nm 的 Al2O3栅介质的沉积.槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.3 V.在栅压Vgs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT饱和电流为0.71 A,特征导通电阻为5.73 m?· cm2.在栅压Vgs=0 V时,器件的击穿电压为400 V,关断漏电流为320 μA.器件的开启与关断电流比超过了109.在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电流为1.8 nA.高的开启与关断电流比和低的栅漏电流反映了Al2O3/GaN界面具有很好的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
2	伊晓燕	中国科学院半导体研究所	11	52	4.0	7.0
3	程哲	中国科学院半导体研究所	10	162	7.0	10.0
4	赵勇兵	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
8	张韵	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0