氧化物隔离对Si基片上生长L10相FePt薄膜磁性的影响

• 作者: 李丹 李国庆
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: FePt薄膜, Si基片,氧化物隔离层,热处理
• 年，卷（期）: 2018,（15）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 121-129
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180387

摘要

用MgO和SiO2两种氧化物将FePt薄膜与Si(100)基片隔离,分析隔离层在FePt层发生A1→L10转变过程中的作用,寻找用Si母材涂敷L10-FePt磁性层来提高磁力显微镜针尖矫顽力的合理方案.采用磁控溅射法在400?C沉积FePt薄膜,在不同温度进行2 h的真空热处理,分析晶体结构和磁性的变化.结果表明:没有隔离层,Si基片表层容易发生扩散,50 nm厚FePt薄膜的矫顽力最大只有5 kOe(1 Oe=103/(4π)A·m?1);而插入隔离层,矫顽力可以超过10 kOe;MgO在Si基片上容易碎裂,热处理温度不能高于600?C,用作隔离层,FePt的最大矫顽力为12.4 kOe;SiO2与Si基片的晶格匹配更好,热膨胀系数差较小,能承受的最高热处理温度可以超过800?C,使得FePt的矫顽力可以在5 kOe到15 kOe范围内调控,更适合用于制作矫顽力高并可控的磁力显微镜针尖.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丹	西南大学物理科学与技术学院	70	357	11.0	16.0
2	李国庆	西南大学物理科学与技术学院	16	41	3.0	6.0