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摘要:
Photo-generated carriers may diffuse into the adjacent cells to form the electrical crosstalk, which is especially no-ticeable after the pixel cell size has been scaled down. The electrical crosstalk strongly depends on the structure and electrical properties of the photosensitive areas. In this work, time-dependent crosstalk effects considering different isola-tion structures are investigated. According to the different depths of photo-diode (PD) and isolation structure, the transport of photo-generated carriers is analyzed with different regions in the pixel cell. The evaluation of crosstalk is influenced by exposure time. Crosstalk can be suppressed by reducing the exposure time. However, the sensitivity and dynamic range of the image sensor need to be considered as well.
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文献信息
篇名 Time-dependent crosstalk effects for image sensors with different isolation structures
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 image sensor crosstalk pixel isolation
年,卷(期) 2018,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 650-654
页数 5页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/27/8/088503
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研究主题发展历程
节点文献
image sensor
crosstalk
pixel isolation
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
eng
出版文献量(篇)
17050
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总被引数(次)
27962
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