退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理

• 作者: 王从杰 贺凯 陈吉堃 陈诺夫 魏立帅
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 常规热退火 铝诱导结晶 锗薄膜 多结太阳电池
• 年，卷（期）: 2018,（15）
• 所属期刊栏目: 材料与可持续发展(一)——面向洁净能源的先进材料
• 页码范围: 2571-2575
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 4461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2018.15.006

摘要

为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对其进行表征.分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100 nm、Ge(111)晶面择优取向度达到99％以上的Ge薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王从杰	华北电力大学可再生能源学院	5	7	2.0	2.0
2	陈诺夫	华北电力大学可再生能源学院	22	33	3.0	4.0
3	魏立帅	华北电力大学可再生能源学院	5	7	2.0	2.0
4	贺凯	华北电力大学可再生能源学院	4	7	2.0	2.0
5	陈吉堃	北京科技大学材料科学与工程学院	11	16	2.0	3.0