IrO2/ZnO薄膜接触结构的制备及电学特性研究

• 作者: 申芳芳 艾淑平
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: IrO2 ZnO 薄膜接触结构 脉冲激光沉积 电学特性 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2018,（24）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 32-34,38
• 页数: 4页
• 分类号: TN244-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2018.24.008

摘要

在氧化锌器件的应用中,高质量的金属/ZnO接触的制备是至关重要的问题.目前,在金属/ZnO接触的研究中,充当电极角色的多为不具有透明性的金属材料,使得氧化锌材料在光电子器件中的应用受到一定的限制.IrO2是一种既透明又导电的金属氧化物,具有较低的电阻率和较好的化学稳定性,其薄膜已被用作底电极和防热扩散层等.因此文中采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备了IrO2/ZnO薄膜接触结构,用小角X射线衍射(XRD)对其进行表征,并测量该结构的电学特性.结果表明实验得到了生长良好的IrO2/ZnO薄膜接触结构,室温下为欧姆接触导电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申芳芳	吉林建筑大学基础科学部	11	13	2.0	3.0
2	艾淑平	吉林建筑大学基础科学部	9	7	2.0	2.0