补偿型共掺杂ZnS电子特性的第一性原理计算

• 作者: 乔士柱 李淑青 王晓伟 胡慧芳
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 补偿型共掺杂ZnS 电子性质 密度泛函理论 第一性原理
• 年，卷（期）: 2018,（z1）
• 所属期刊栏目: 材料计算模拟
• 页码范围: 506-511
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 3568字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对ZnS(Cu,Cl、Br、I)共掺杂体系的晶格结构和电子性质进行了研究.结果表明,相对于单掺杂ZnS体系,补偿型的共掺ZnS体系形成能更低,更有利于提高可见光的催化效率,且由于p-d电子排斥效应使价带向高能方向展宽,而Cu的 3 p态与非金属原子的杂质态使导带底下移,从而使共掺杂ZnS体系的能带带隙变窄,尤其是CuZnBrS-ZnS带隙值减少了30%,从而延伸吸收边界到可见光区域.且CuZnBrS-ZnS中m?e/m?h相对较大,降低了电子-空穴对重组率,提高了量子效率.最后对补偿型共掺ZnS电子结构进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室	18	76	5.0	7.0
2	李淑青	太原工业学院理学系	25	31	3.0	4.0
3	王晓伟	太原工业学院理学系	5	4	1.0	2.0
4	乔士柱	太原工业学院理学系	6	5	1.0	2.0