基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究

• 作者: 余志强 刘敏丽 张昌华 郎建勋 钱楷
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: TiO2纳米线 忆阻器 氧空位 导电细丝
• 年，卷（期）: 2018,（15）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 111-120
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180425

摘要

采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103 s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型.研究结果表明Au/TiO2/FTO忆阻器将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
2	郎建勋	湖北民族学院电气工程系	15	20	2.0	3.0
4	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0
8	钱楷	湖北民族学院电气工程系	12	19	3.0	3.0
9	刘敏丽	湖北民族学院电气工程系	2	3	1.0	1.0