自旋轨道矩调控的垂直磁各向异性 四态存储器结构

• 作者: 张楠 王开友 盛宇 马星桥
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 自旋电子学 自旋轨道耦合矩 四态存储器
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 227-233
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180216

摘要

利用氧化钽缓冲层对垂直各向异性钴铂多层膜磁性的影响,构想并验证了一种四态存储器单元.存储器器件包含两个区域,其中一区域的钴铂多层膜[Pt(3 nm)/Co(0.47 nm)/Pt(1.5 nm)]直接生长在热氧化硅衬底上,另一个区域在磁性膜和衬底之间沉积了一层氧化钽作为缓冲层[TaOx(0.3 nm)/Pt(3 nm)/Co(0.47 nm)/Pt(1.5 nm)],缓冲层导致两个区域的垂直磁各向异性不同.在固定的水平磁场下对器件施加与磁场同向的电流,由于电流引起的自旋轨道耦合力矩,两个区域的磁化取向均会发生翻转,且拥有不同的临界翻转电流.改变通过器件导电通道的电流脉冲形式,器件的磁化状态可以在4个态之间切换.本文器件的结构为设计自旋轨道矩存储器件提供了新的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张楠	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	54	581	13.0	23.0
5	马星桥	北京科技大学数理学院	15	24	3.0	4.0
6	盛宇	北京科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0
10	王开友	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0