铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究

• 作者: 于天宝 刘胜 廖聪维 罗衡 覃婷 邓联文 黄生祥
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaZnO 悬浮栅 薄膜晶体管 器件模型
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 229-236
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172325

摘要

为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅(floating gate,FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄生祥	中南大学物理与电子学院	34	139	7.0	10.0
2	邓联文	中南大学物理与电子学院	60	206	7.0	8.0
3	刘胜	中南大学物理与电子学院	8	44	3.0	6.0
4	廖聪维	中南大学物理与电子学院	11	17	2.0	4.0
5	罗衡	中南大学物理与电子学院	17	27	3.0	4.0
6	于天宝	中南大学物理与电子学院	3	1	1.0	1.0
7	覃婷	中南大学物理与电子学院	4	1	1.0	1.0