晶格失配应力对单晶(BiTm)3(GaFe)5O12膜 磁畴结构的影响

• 作者: 吴玉娟 张怀武 文岐业 杨青慧 白飞明 贾利军 郝俊祥 钟智勇 马博
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 晶格失配应力 磁畴 液相外延 单轴各向异性
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 234-242
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180192

摘要

利用液相外延工艺在钆镓石榴石衬底上制得了单晶(BiTm)3(GaFe)5O12膜,研究了晶格失配应力对其磁畴结构的影响.研究发现,生长速率越快,膜的晶格常数越大;晶格失配应力可以在一定范围内调整膜的垂直各向异性;随着晶格失配应力由较大张应力逐渐转变为较大压应力,磁畴形状先由磁泡畴转变成迷宫畴,然后转变为过渡态部分弯曲的条状畴,最终转变为整齐排列的条状畴;失配应力同时对畴宽也有影响,膜受到的失配应力越大,畴宽越大.这一实验研究对基于控制晶格失配应力来调控单晶膜的各向异性和磁畴结构有指导意义.