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近800nm波长张应变GaAsP/AlGaAs量子阱激光器有源区的设计
近800nm波长张应变GaAsP/AlGaAs量子阱激光器有源区的设计
作者:
李建军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
量子阱
能带结构
张应变
摘要:
张应变GaAs1-x Px量子阱是高性能大功率半导体激光器的核心有源区,基于能带结构分析优化其结构参数具有重要的应用指导意义.首先,基于6×6 Luttinger-Kohn模型,采用有限差分法计算了张应变GaAs1-x Px量子阱的能带结构,得到了第一子带间跃迁波长固定为近800 nm时的阱宽-阱组分关系,即随着阱组分x的增加,需同时增大阱宽,且阱宽较大时靠近价带顶的是轻空穴第一子带lh1,阱宽较小时靠近价带顶的是重空穴第一子带hh1.计算并分析了导带第一子带c1到价带子带lh1和hh1的跃迁动量矩阵元.针对808 nm量子阱激光器,模拟计算了阈值增益与阱宽的关系,得到大阱宽有利于横磁模激射,小阱宽有利于横电模激射.进一步考虑了自发辐射和俄歇复合之后,模拟计算了808 nm量子阱激光器的阱宽与阈值电流密度的关系,阱宽较大时载流子对高能级子带的填充使得阈值电流密度增加,而阱宽较小时则是低的有源区光限制因子导致阈值电流密度升高,因此存在一最佳的阱宽-阱组分组合,可使阈值电流密度达到最小.本文的模拟结果可对张应变GaAs1-xPx量子阱激光器的理论分析和结构设计提供理论指导.
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文献信息
篇名
近800nm波长张应变GaAsP/AlGaAs量子阱激光器有源区的设计
来源期刊
物理学报
学科
关键词
量子阱
能带结构
张应变
年,卷(期)
2018,(6)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
257-270
页数
14页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.67.20171816
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李建军
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
52
234
7.0
12.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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量子阱
能带结构
张应变
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
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