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摘要:
利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5μm的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.
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Inc
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垂直腔面发射激光器
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高速850nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长
来源期刊 物理学报 学科
关键词 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 量子阱 金属有机物化学气相淀积
年,卷(期) 2018,(10) 所属期刊栏目 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
研究方向 页码范围 72-81
页数 10页 分类号
字数 语种 中文
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垂直腔面发射激光器
分布布拉格反射镜
量子阱
金属有机物化学气相淀积
研究起点
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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