氧化钨纳米线气敏传感器的制备及其室温NO2敏感特性

• 作者: 强晓永 秦岳 胡明 赵博硕
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化钨 纳米线 NO2气体传感器 响应类型
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 271-279
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172236

摘要

纳米结构的氧化钨有高比表面积和气体吸附能力,在气体传感器领域得到了广泛研究.本文采用磁控溅射金属钨薄膜和两步热氧化工艺在二氧化硅衬底上生长出氧化钨纳米线.通过改变第二步氧化温度,研究退火温度对氧化钨纳米线气敏特性的影响.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪和透射射电子显微镜表征材料的微观特性和晶体结构,利用静态配气法测试气敏性能.研究结果表明,经过退火处理后氧化钨纳米线密度略微降低,300℃比400℃退火后的氧化钨结晶性差,对应的表面态含量多,有利于室温气体敏感性.测试NO2的气敏性能,经过对比得出300℃退火温度下制备的氧化钨纳米线在室温下表现出较很好的气敏响应,对6 ppm(1 ppm=10?6)NO2达到2.5,对检测极限0.5 ppm NO2响应达1.37.氧化钨纳米线在室温下表现出反常的P型响应,是因为氧化钨纳米线表面被氧气吸附形成反型层,空穴取代电子成为主要载流子所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学微电子学院	139	1336	19.0	28.0
2	赵博硕	天津大学微电子学院	2	4	1.0	2.0
3	强晓永	天津大学微电子学院	2	4	1.0	2.0
4	秦岳	天津大学微电子学院	2	4	1.0	2.0