氧分压对Ni/HfOx/TiN阻变存储单元阻变特性的影响

• 作者: 吴仕剑 张志超 张楷亮 弭伟 李毅 王芳 赵金石
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 阻变存储器 氧化铪 氧分压 阻变机理
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 254-261
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172194

摘要

采用射频磁控溅射的方法,基于不同氧分压制备的氧化铪构建了Ni/HfOx/TiN结构阻变存储单元.研究发现,随着氧分压的增加,薄膜表面粗糙度略有降低;另一方面,阻变单元功耗降低,循环耐受性能可达103次,且转变电压分布的一致性得到改善.结合电流-电压曲线线性拟合结果及外加温度测试探究了器件的转变机理,得出在低阻态的传导机理为欧姆传导机理,在高阻态的传导机理为肖特基发射机理,并根据氧空位导电细丝理论,对高低阻态的阻变机理进行了详细的理论分析.