外加电场和Al组分对纤锌矿AlGaN/GaN量子阱中的电子g因子的影响

• 作者: 冯志波 姚宁 李明 赵正印 韩红培
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 自旋轨道耦合 Rashba效应 塞曼效应 g因子
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 244-253
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172213

摘要

研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子(g⊥和g//)及其各向异性(δg)的影响.纤锌矿体结构的贡献(gbulk//和gbulk⊥)是构成?g⊥=(g⊥?g0)=gbulk⊥+gw和?g//=(g//?g0)=gbulk//的主要部分,但gbulk//和gbulk⊥ 的差值很小且几乎不随外加电场和Al组分改变.当外加电场的方向同极化电场的方向相同(相反)且增加时,gbulk//和gbulk⊥ 的强度同时增加(减小).当外加电场从?1.5×108 V·m?1到1.5×108 V·m?1变化时,异质结界面对?g⊥的贡献(ΓInter)大于0且强度缓慢增加,阱层对?g⊥ 的贡献(ΓW)小于0且强度也缓慢增加.然而ΓInter的强度比ΓW大,且后者的强度随着外加电场的改变增加较快,所以δg>0且强度随着外加电场的变化而减小.当垒层的Al组分增加时,如果不考虑应变效应(S1,2=0),gbulk//和gbulk⊥ 的强度同时减小,然而考虑应变效应后(S1,2?=0),?β?1(gbulk⊥)和?γ?1(gbulk//)的强度随着Al组分的增加而增加.随着垒层Al组分的增加,ΓInter和ΓW的强度都增加,但ΓInter的强度较大且增加得较快,所以δg的强度缓慢增加.?g⊥的强度先随着Al组分的增加而减小,然后又随着Al组分的增加而增加,因为gbulk⊥ 小于0且强度随着Al组分增加得很快.结果表明,AlGaN/GaN量子阱结构中的电子g因子及其各向异性可以被外加电场、垒层的Al组分、应变效应和量子限制效应共同调制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚宁	许昌学院电气信息工程学院	22	50	4.0	5.0
2	赵正印	许昌学院电气信息工程学院	11	12	2.0	3.0
3	李明	许昌学院电气信息工程学院	8	21	2.0	4.0
4	冯志波	许昌学院电气信息工程学院	9	6	1.0	1.0
5	韩红培	许昌学院电气信息工程学院	9	17	2.0	4.0