基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料

• 作者: 冯志红 刘沛 尹甲运 张志荣 房玉龙 李佳 王元刚 王波 芦伟立 郭艳敏 高楠
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 氮化镓 热处理 同质外延
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 211-218
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172581

摘要

研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH3/H2混合气体与H2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH3/H2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利于去除表面的杂质,黄光带峰相对强度较高;H2促进GaN分解,随时间延长GaN分解加剧,导致模板表面粗糙不平,AlGaN/GaN HEMT材料二维电子气迁移率降低.采用NH3/H2混合气体与H2交替气氛模式处理模板或衬底表面,能够清洁表面,去除表面杂质,获得平滑的生长表面和外延材料表面,有利于提高AlGaN/GaN HEMT材料电学性能.在GaN衬底上外延AlGaN/GaN HEMT材料,2DEG迁移率达到2113 cm2/V·s,电学性能良好.