252Cf自发裂变中子发射率符合测量的回归分析

• 作者: 李永明 王亮 赵德山 阮念寿 陈想林
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 252Cf自发裂变 中子发射率 符合测量 回归分析
• 年，卷（期）: 2018,（24）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 100-105
• 页数: 6页
• 字数: 3318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20181073

摘要

252Cf同位素源具有标准的自发裂变中子能谱,但由于其半衰期较短,应用中常需要对源强进行标定修正.随着源年龄增加,来自源中250cf和248Cm自发裂变的影响愈加凸显,不能简单按252Cf的衰变规律计算源中子发射率,而通过锰浴活化的间接测量方法周期较长,且在源强低于104 n/S时误差较大.最近,基于中子多重性计数的源强绝对测量算法已得到验证.本文进一步从点模型假设的测量方程出发,在将符合计数率与总中子计数率关联的基础上,分别对符合计数率随源位置、符合门宽的变化关系进行回归分析,提取变化过程的特征系数,建立了两种避规效率变化的252Cf中子发射率测量方法,并基于JCC-51型中子符合测量装置开展实验验证.结果表明:两种回归分析方法的测量值均与标称值的修正结果在2％的偏差范围内一致;反推求得装置中轴线上的探测效率也与基于MCNPX程序的蒙特卡罗模拟计算值相符.研究结果可为活度信息不明的252Cf源强标定及符合测量装置的效率刻度提供便携准确的实验方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王亮	中国工程物理研究院材料研究所	14	81	4.0	8.0
2	赵德山	中国工程物理研究院材料研究所	7	12	2.0	3.0
3	李永明	中国工程物理研究院材料研究所	7	2	1.0	1.0
4	阮念寿	中国工程物理研究院材料研究所	4	1	1.0	1.0
5	陈想林	中国工程物理研究院材料研究所	1	1	1.0	1.0