1mW多通道12位逐次逼近型(SAR A/D)转换器

• 作者: 刘红兵
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: SAR ADC DAC CMOS 多通道
• 年，卷（期）: 2018,（20）
• 所属期刊栏目: 设计与研发
• 页码范围: 27-28,68
• 页数: 3页
• 字数: 583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8519.2018.20.010

摘要

本文叙述的是一个8通道12位SAR A/D转换器(ADC)的设计和实现.基于逐次逼近型寄存器(SAR)的体系结构,本A/D转换器有着140KSPS的最大采样率,并且对于一个1 8V的电源来说,其整个ADC仅消耗1mW,其关机电流仅为1uA.低压ADC通过0 18μm 2P4M CMOS工艺制作.ADC占用面积为0 3mm×0 35mm.在高性能点(12-bit,140KSPS)时, ADC的INL和DNL分别为0 7LSB和0 66LSB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红兵		46	65	5.0	7.0