VOLTE语音质量MOS典型影响因素的研究

• 作者: 孙照宇
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 4G VOLTE MOS LTE
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 通信技术
• 页码范围: 48-49
• 页数: 2页
• 分类号: TN929.5
• 字数: 2150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19695/j.cnki.cn12-1369.2018.05.24

摘要

本文主要介绍LTE网络语音解决方案volte的MOS评估测试方式,并对影响MOS语音质量的关键因素加以分析,同时提出相关优化思路用于如何提升VOLTE语音质量进行指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙照宇		4	5	1.0	2.0