MoS2二维晶体的可控制备的研究

• 作者: 叶黎 周伟鹏 徐海涛 郑晓武 黄嘉曜
• 来源期刊: 化学工程与装备
• 关键词: 二维晶体 过渡金属硫化物 单层二硫化钼 化学气相沉积法
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 科学研究与开发
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

本文基于CVD系统,提出了采用衬底正置法的单层二硫化钼二维晶体的合成方法,对制备单层二硫化钼二维晶体的生长条件进行探究,并对样品的生长机制进行归纳和总结.若干表征技术的反馈结果表明,采用此方法制备的硫化钼二维晶体具备较高的晶体质量,样品生长在载气空间分布方向上存在最佳位置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐海涛		18	50	3.0	7.0
2	叶黎		5	2	1.0	1.0
3	黄嘉曜		1	0	0.0	0.0
4	郑晓武		2	0	0.0	0.0
5	周伟鹏		2	0	0.0	0.0