单层二硫化钼外加垂直磁场的哈密顿量推导

• 作者: 孙金芳
• 来源期刊: 中小企业管理与科技
• 学科: 交通运输
• 关键词: MoS2 垂直磁场 哈密顿量
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 新技术应用与实践
• 页码范围: 146-147
• 页数: 2页
• 分类号: U283.5
• 字数: 1374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1069.2018.10.070

摘要

论文通过理论方法,采用朗道规范,推导出了单层二硫化钼在外加垂直磁场后的哈密顿量,将哈密顿量代入薛定谔方程就可以计算出基态函数和导带价带的能量,对研究单层二硫化钼的物理特性有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙金芳		14	5	1.0	2.0