一种低触发电压高维持电压可控硅静电防护器件的设计与实现

• 作者: 汪洋 郝山万 金湘亮
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: SCR 触发电压 维持电压 TLP测试
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 114-115
• 页数: 2页
• 字数: 826字
• 语种: 中文

摘要

本文针对低压5V CMOS工艺中SCR(可控硅)静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点,在传统简单SCR的基础上,设计了一种新器件结构,该结构改变器件击穿面降低触发电压,通过内镶二极管的方式提高器件维持电压,避免闩锁风险.设计器件在0.5um CMOS工艺下进行了流片测试,TLP测试结果表明,内镶二极管的SCR新结构,其触发电压从18.89V降低到13.04V,维持电压从3.83 V提高到5.20V,适用于5V工作电压的芯片保护,有效解决了CMOS工艺中可控硅静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金湘亮	湘潭大学物理与光电工程学院 微光电与系统集成湖南省工程实验室	50	124	6.0	8.0
2	汪洋	湘潭大学物理与光电工程学院 微光电与系统集成湖南省工程实验室	9	35	3.0	5.0
3	郝山万	湘潭大学物理与光电工程学院 微光电与系统集成湖南省工程实验室	1	1	1.0	1.0