半导体器件仿真在电子器件研究中的应用

• 作者: 施磊
• 来源期刊: 军民两用技术与产品
• 关键词: 电子元器件 功率MOS 晶体管 仿真 失效分析
• 年，卷（期）: 2018,（16）
• 所属期刊栏目: 电子信息
• 页码范围: 69
• 页数: 1页
• 字数: 234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-8119.2018.16.067

摘要

TCAD半导体器件仿真软件可用来预测电子元器件的电学性能,具有模型精度高、直观清晰等优势.本文以电子元器件重要组成部分-功率MOS场效应晶体管为例,将半导体器件仿真用于功率MOS场效应晶体管的失效分析中,详细分析了栅漏氧化层穿通导致器件主结烧毁失效的机理.本文的仿真结果可为功率MOS场效应晶体管的失效分析提供有意义的参考信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施磊		1	0	0.0	0.0