基于第一性原理N型InGaN电子结构和热电性质计算

• 作者: 赵紫轩
• 来源期刊: 科技风
• 关键词: InGaN 第一性原理 热电优值
• 年，卷（期）: 2018,（25）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 252
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.19392/j.cnki.1671-7341.201825227

摘要

热能能够通过热电材料的载流子作用转换成电能,过程中无任何污染,进而缓解能源问题的同时保护了环境.目前热电材料的研究是当代的一个热点,最核心的是解决热电材料的转换率,其实质就是提高热电材料的热电优值(ZT值).第三代宽禁带半导体中的氮化物,具有较高的塞贝克系数,是很有潜力的热电材料,但是由于热导率较高导致了ZT值较低,这里对GaN进行了In元素的合金化,对其热电性质进行优化.计算主要采用了第一性原理和玻尔兹曼理论,对N型InGaN的电子结构和热电性质进行了计算,结果得到InGaN的ZT值在1100 K时达到了0.048,和已知GaN的ZT值相比性能提高了153％,合金化显著的提高了氮化物的热电转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵紫轩	河北科技大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0