界面氧化硅在TiSi2形成过程中的影响

• 作者: 刘伟杰
• 来源期刊: 中国科技投资
• 关键词: Ti膜的沉积 阻值 界面氧化硅TiSi2
• 年，卷（期）: 2018,（35）
• 所属期刊栏目: 电力电网
• 页码范围: 114
• 页数: 1页
• 字数: 1510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5811.2018.35.095

摘要

TiSi2作为一种金属硅化物,被广泛应用在了0.25～0.35um的集成电路生产工艺上.它存在于MOS结构的栅极、源极和漏极上,用来降低硅接触电阻.它的优点是高温的稳定性,可以进行自对准接触处理过程,比其他硅化物低的电阻率,以及没有重金属的污染性.物理气相沉积(PVD)在硅片上沉积钛(Ti)膜后进行高温退火的工艺是被应用最广泛的技术.在集成电路生产中,Ti膜沉积前通常要通过Ar离子刻蚀的方式清除硅表面的界面氧化层,使Ti与纯净的Si直接接触,在后续的高温退火工艺后充分形成TiSi2,通常认为界面氧化硅的存在会影响Ti与Si形成TiSi2,但是实验结果表明界面氧化硅的存在并不会影响TiSi2的形成,反而如果去选择去除界面氧化硅不彻底,就会使TiSi2阻值变高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟杰		1	0	0.0	0.0