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摘要:
极紫外光刻技术可以制造特征尺寸小于22 nm的芯片,是推动半导体集成电路发展的重要手段。极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分。激光辅助放电等离子体极紫外光源方法可以使传统固体靶材作为放电等离子体所需要的材料,其装置结构简单,产生极紫外光源功率高,能够精确控制放电时间和提高放电的稳定性等,具有良好的应用前景。本文系统阐述了激光辅助放电等离子体极紫外光源相关研究进展,介绍靶材作为不同电极极性、不同放电参数和激光参数下放电等离子体极紫外光源的产生,并对不同条件下产生极紫外光源的特点进行了归纳总结,为更好地使用激光辅助放电等离子体进行产生极紫外光源提供有益的参考。
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内容分析
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文献信息
篇名 激光辅助放电等离子体极紫外光源研究进展
来源期刊 应用物理 学科 物理学
关键词 激光辅助放电等离子体 Z箍缩等离子体 极紫外光源
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 O53
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林景全 长春理工大学理学院 47 295 8.0 16.0
2 窦银萍 长春理工大学理学院 7 26 2.0 5.0
3 谢卓 长春理工大学理学院 4 0 0.0 0.0
4 吴家志 长春理工大学理学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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2019(0)
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研究主题发展历程
节点文献
激光辅助放电等离子体
Z箍缩等离子体
极紫外光源
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
应用物理
月刊
2160-7567
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
428
总下载数(次)
2
总被引数(次)
0
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