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摘要:
研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响.本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218 μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0~26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性.
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文献信息
篇名 SOI基微环滤波器的可调谐性研究
来源期刊 光电子技术 学科 工学
关键词 绝缘体上硅 微环谐振器 马赫-曾德尔干涉仪 可调谐性
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 4-9
页数 6页 分类号 TN256
字数 语种 中文
DOI 10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.01.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 牛斌 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 8 0 0.0 0.0
2 孔月婵 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 17 1 1.0 1.0
3 周奉杰 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 2 0 0.0 0.0
4 顾晓文 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
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绝缘体上硅
微环谐振器
马赫-曾德尔干涉仪
可调谐性
研究起点
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相关学者/机构
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光电子技术
季刊
1005-488X
32-1347/TN
16开
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
1981
chi
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