不同调制周期的Al/MoO3半导体桥发火器件电爆性能研究

• 作者: 于国强 倪德彬 党鹏阳 徐栋 王培勇 陈立魁
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: Al/MoO3复合薄膜 调制周期 活化能 发火感度
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TQ560.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1480.2019.06.001

摘要

采用磁控溅射技术制备总厚度为6μm,调制周期分别为134nm/166nm和22nm/28nm的Al/MoO3复合薄膜,并将其与半导体桥(SCB)整合形成含能半导体桥(ESCB)发火器件,研究了Al/MoO3含能薄膜及SCB-Al/MoO3含能半导体桥的性能.DSC分析表明,调制周期为22nm/28nm的薄膜只有1个放热峰,其活化能为245kJ/mol;调制周期为134nm/166nm 的薄膜有 3 个放热峰,最大放热峰的活化能为 200kJ/mol.22nm/28nm 的含能薄膜燃速为 5.34m/s;134nm/166nm的含能薄膜燃速为1.79m/s.随着调制周期的增加,SCB-Al/MoO3的临界发火时间变长,调制周期对临界发火能量、作用总时间、作用总能量无影响,SCB-Al/MoO3(22nm/28nm)的电压发火感度高于SCB-Al/MoO3(134nm/166nm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪德彬		6	8	2.0	2.0
2	徐栋		7	3	1.0	1.0
3	于国强		10	11	3.0	3.0
4	王培勇		9	19	3.0	4.0
5	党鹏阳		1	0	0.0	0.0
6	陈立魁		1	0	0.0	0.0