Alx In1-x As电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 丁召 张振东 李志宏 杨晨 王一 罗子江 郭祥 黄延彬
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxIn1-xAs 晶体结构 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1057-1063
• 页数: 7页
• 分类号: O47
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.06.027

摘要

基于密度泛函理论,对各组分AlxIn1-xAs(x为0～1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,Alx In1-x As晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,Alx In1-x As的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的Alx In1-x As晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大.