新型基区结构高反压功率晶体管的优化

• 作者: 杨宝平 江昆 黄锋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高增益 功率晶体管 埋层基区 终端保护 击穿电压
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 177-184
• 页数: 8页
• 分类号: TN323.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.03.003

摘要

依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究.提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结构,并针对埋层基区结构对高压-高增益硅功率晶体管电性能及可靠性的影响进行了研究.仿真结果表明:新型基区结构不仅可以很好地折中晶体管β与V(BR)CEO之间的矛盾关系,而且还能在较大的埋层基区宽度、埋层基区掺杂峰值浓度范围内使晶体管获得较低且一致性较好的饱和压降;具有新型基区结构的晶体管在改善正偏的情况下抗二次击穿能力具有明显优势.由仿真得到的器件结构参数,研制出的样片的β,V(BR)CEO和集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO)均满足电参数指标要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宝平		5	0	0.0	0.0
2	江昆		2	0	0.0	0.0
3	黄锋		4	1	1.0	1.0