ITO窗口层光子晶体对GaN基LED性能的调控

• 作者: 赵璇 郭忠全 郭颖
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 发光二极管(LED) 光子晶体 电致发光 光提取效率
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 686-690
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.09.005

摘要

与传统光源相比,基于GaN材料的发光二极管(LED)具有量子效率高、寿命长等优势,在通用照明、显示、医疗等领域中的应用份额稳步提升.然而受制于其材料特性与器件结构,GaN基LED在内量子效率与光提取效率方面仍有较大的提升空间.为解决以上关键问题,利用电子束曝光技术成功在GaN基LED表面的氧化铟锡(ITO)窗口层集成了光子晶体,并对光子晶体对于LED发光波长、电流-电压特性、发光强度等关键参数的调控进行了表征测量,结果表明,器件的法向电致发光强度提升了25％,器件的工作电压也有所降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭忠全		2	1	1.0	1.0
2	赵璇		1	0	0.0	0.0
3	郭颖		1	0	0.0	0.0