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摘要:
CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验.该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力.
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文献信息
篇名 一种数模转换器的动态闩锁试验方法
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 互补金属氧化物半导体 集成电路 动态闩锁
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 35-37,41
页数 4页 分类号 TN407
字数 2518字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜汝栋 中国电子科技集团公司第五十八研究所 6 5 1.0 1.0
2 邵振宇 中国电子科技集团公司第五十八研究所 2 2 1.0 1.0
传播情况
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2019(0)
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研究主题发展历程
节点文献
互补金属氧化物半导体
集成电路
动态闩锁
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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